结果发现PSBs在微晶体积内局部成核，中科装调然后逐渐传播，直到它们跨越整个滑动区域。

富海（d）器件在不同阻态下的电学性能。宁永年安（b-c）BP突触网络和生物突触网络结构示意图。

图五、强1器已电学控制2D材料中固有缺陷的迁移和分布来模拟突触行为（a）Ag/MOx/MoS2/Ag忆阻器的照片，强1器已位于柔性衬底（聚萘二甲酸乙二醇酯）上的器件阵列，以及器件的截面SEM图像。天氢（c）不同功率密度的光所激发的长期增强作用。液化预计生物学研究表明多端突触网络在高能效的时空信息处理和非线性分类中均起着重要作用。

【图文解读】图一、完成用于突触器件和神经形态计算应用的2D材料概述图二、2D材料和异质结（a）2D材料目录，包括金属、半导体和绝缘体。图十一、中科装调电刺激的异源突触器件（a）WO3-x和WSe2/石墨烯垂直结构的异源突触器件的示意图。

总之，富海本文对2D突触器件的设计和制备及其在神经形态计算中的应用提供了深刻见解。

（2）为实现基于2D忆阻器或突触晶体管的硬件神经网络（HNNs），宁永年安需要获取质量高和均一性好的2D材料，宁永年安并以此构造突触器件阵列，同时还需要解决2D器件制造工艺与半导体加工技术的兼容性等问题。强1器已所测的变形行为与传统的BCC合金的不同之处表现为：1)晶格应变演化和测得的衍射弹性模量表明了室温下的弹性各向同性行为;2)该材料在高温下缺乏较强的温度依赖性弹性各向异性变形行为。

b，天氢d，f在一定数量的高周疲劳（HCF）之后，通过欠时效（UA）合金的晶粒形成的均匀表面浮雕。美国加利福尼亚大学DanielS.Gianola教授团队首次清楚地证明:(1)在0.12T的低温度下，液化预计难熔MPEA中有大量非螺杆节段存在滑动错位。

因此，完成寻求以某种方式从一个硬化阶段转换到另一个硬化阶段的位错机制中的阶段性硬化的解释几乎没有意义。本内容为作者独立观点，中科装调不代表材料人网立场。